提率：善仁新材的这一无压低温技术提高了生产效率，从传统银烧结技术每小时只能生产约30个产品上升至现在的每小时3000个。现在，凭借这一新的银烧结材料，第三代半导体封装得以实现高产能，高可靠性的产品。
善仁新材相继开发出来180度无压烧结银，170度无压烧结银，160度无压烧结银，不停的挑战无压烧结银的烧结温度，从相关资料报道和机构认证，善仁新材新开发的AS9316纳米银膏，烧结温度只有160度，了烧结低温的先河。
为了验证此策略，使用1200V/400A车用SiC功率模块的低应力封装工艺，此器件的烧结面积4.4 mm×4.0 mm，钼片厚度为1.5 mm，氧化铝衬底基板的厚度为1.2 mm。 两侧基板均采用AS9330低温无压银烧结技术以实现器件和钼片的互连，烧结后形成器件-基板组件和钼片-基板组件结构连接，烧结后两组组件的连接使用传统的高温焊料 Pb92.5Sn5Ag2.5。
联系我时，请说是在黄页88网厦门导电银胶栏目上看到的，谢谢！
