江西铜电化学沉积的动态硅通孔填充⼯艺晶圆,动态硅通孔填充⼯艺

在不同电流密度下的分阶段电沉积实验展示了动态的硅通孔
(TSV) 填充过程。通过控制外加电流密度，可以获得对应于
TSV填充结果的不同形貌。具体来说，低电流密度 (4 mA/
cm 2 ) 会导致接缝缺陷填充，中等电流密度 (7 mA/cm 2 ) 会导
致⽆缺陷填充，⽽⾼电流密度 (10 mA/cm 2 )) 导致空洞缺陷填
充。填充系数分析表明，电流密度对TSV填充模型的影响是
由添加剂和铜离⼦的消耗和扩散的耦合效应触发的。此外，
镀层的形态演变表明局部沉积速率受镀层⼏何特征的影响。
硅通孔 (TSV) 是⼀种很有前途的三维 (3D) 封装技术，具有
⾼性能、减小封装体积、低功耗和多功能等优点。在 TSV ⼯
艺中，通常使用铜电化学沉积 (ECD) 进⾏的通孔填充步骤占
总成本的近 40% 。作为 TSV 的核⼼和关键技术，以小化⼯
艺时间和成本的⽆缺陷填充备受关注。

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TSV绝缘层
TSV 的⾦属填充需要用到绝缘层来对硅衬底进⾏充分的电⽓隔离。绝 缘层的⼯
艺要求包括良好的阶梯覆盖率，⽆漏电流，低应⼒，⾼击穿电 压，以及不同
的 TSV 集成引起的加⼯温度的限制。⼆氧化硅(SiO2)或 氮化硅(Si3N4)是常用于
等离⼦体增强化学⽓相沉积(PECVD)或减压 化学⽓相沉积(SACVD)的绝缘层。
然⽽，当 TSV 直径小于 3 μm 时， 绝缘层更适用于原⼦层沉积(ALD)。ALD有
⼏个优势，如较低的热预 算，比现有流程更好的阶梯覆盖率，⽆需再进⾏表面
处理，并且由于较薄 的绝缘层，降低了 TSV 的 CMP 加⼯时间。

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TSV 填充
TSV 填充电镀铜有三种⽅法:
共形电镀，自下⽽上的密封凸点电镀， 和超共形电镀。电镀⽅法是以各种三维
集成应用为基础的。总的来说， TSV 的结构是深度在 10 到 200μm 之前的典型
的圆柱形孔。TSV 的深度 取决于芯片或晶圆键合时的所需厚度，⽽ TSV 纵横
比的⼤小则由介电 膜、阻挡层和种⼦层和填充过程决定的。

STYCAST 2561/CAT 11
乐泰 STYCAST 2651MM/CATALYST 23LV
乐泰 STYCAST 2651MM/CATALYST 9
乐泰 STYCAST 2850FT/CAT 11
乐泰 STYCAST 2850FT/CAT 23 LV
乐泰 STYCAST 2850KT/CATALYST 9
乐泰 STYCAST 2850MT/CATALYST 24LV
乐泰 STYCAST 50500D
乐泰 STYCAST A312
乐泰 STYCAST E1070
乐泰 STYCAST E1847
乐泰 STYCAST EFF15 SYNTACTIC FOAM POWDER
乐泰 STYCAST U2500
LOCTITE ABLESTIK 104
LOCTITE ABLESTIK 16-1
LOCTITE ABLESTIK 2000
LOCTITE ABLESTIK 2000B
LOCTITE ABLESTIK 2000T
LOCTITE ABLESTIK 2025D
LOCTITE ABLESTIK 2025DSI
LOCTITE ABLESTIK 2030SC
LOCTITE ABLESTIK 2035SC

小型喷镀机台
配备有Stir Cup适用于研发以及小批量生产。
特别适合于镀孔，Sn/Ag电镀，Cu pillar等电镀制程。
体积小，可对应2寸到8寸晶圆电镀。
只需使用10L或更少的镀液。
配备循环过滤器
配备供排液泵。
Stir Cup
MEMS导电胶 绝缘胶 低应力胶2025D 84-1LMI JM7000
厚膜导电胶84-1A 84-1LMI 84-1LMIT1 JM7000 84-3 2025D
厚膜电路胶膜 506胶膜 5020胶膜 厚膜电路灌封胶 厚膜电路用胶 IGBT灌封胶
84-3J绝缘胶 芯片绝缘胶 乐泰导电胶 乐泰三防漆3900， 乐泰绝缘胶，芯片封装胶，
光纤胶，光耦胶，电路灌封胶，传感器灌封胶，电源灌封胶，乐泰UF3808底部填充胶 底部填充剂 微波器件导电胶，低应力底部填充胶，高导热灌封胶，BGA底部填充剂，BGA导热胶，DAF膜，FOW胶膜，DAF胶膜，导电胶膜，导热胶膜，芯片胶膜，封装胶膜，IC胶膜，晶圆胶膜，UF1173射频器件底部填充胶，高频传输胶，相位胶，5G底部填充胶，基站胶。
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