湖南铜电化学沉积的动态硅通孔填充⼯艺半导体,铜电化学沉积

TSV 互连具有缩短路径和更薄的封装尺⼨等优点，被认为是三维集成的核
术。 TSV 结构如下图所示，在硅板上面有加⼯完成的通孔;在通孔内由内到外
依次为电镀铜柱、绝缘层和阻挡层。绝缘层的作用是将硅板和填充的导电 材料
之间进⾏隔离绝缘，材料通常选用⼆氧化硅。由于铜原⼦在 TSV 制 造⼯艺流
程中可能会穿透⼆氧化硅绝缘层，导致封装器件产品性能的下降 甚⾄失效，⼀
般用化学稳定性较⾼的⾦属材料在电镀铜和绝缘层之间加⼯ 阻挡层。后是用
于信号导通的电镀铜。

Ablestik：
导电银胶:主要经营有ABLEBOND 84-1A、84-1LMI、 84-1LMINB(B1)、 84-1LMISR4、84-1LMIT(T1)、 826-1DS、826-2、2600AT、2600BT、2185A、2030SC、2100A、3185、8290、8340、8360、8352L、968-2、979-1、71-1、JM7000等一系列产品,适用于半导体(IC)封装(如DIP/SOP/TO-92/BGA...)、LED(如普通发光二极管/LAMP/大功率管/数码管...)等领域,用于各种贴片、点胶、背胶等工艺.

绝缘胶:主要经营有ABLEBOND84-3、84-3J、84-3LV、84-3MV、789-3、789-4、2025D 、2025M、 2035SC 、8384、8387A、8387B、2039H、DX-10、DX-20-4等一系列产品,适用于半导体(IC)封装、摄像头(CMOS/CCD)工艺、LED、智能卡等领域,用于各种贴片、或有粘贴的等工艺.

UV胶:主要经营有ABLELUXHGA-3E、HGA-3S、A4021T、A4035T、A4039T、A4061T、A4083T、A4086T、A4088T、A4502、CC4310、AA50T 、BF-4 、OG RFI146T等一系列UV紫外固化胶,适用于光电、光电仪表、光纤、手机摄像头(CMOS)等领域;如手机摄像头Lens固定,光纤耦合器(Coupler),激光器(Laser),跳线(Jamper),衰减器(Attenuator),探测器(Detector)等。

胶膜:主要经营有ABLEFILM506 、508、550S、561K、570K、5020、5020K、5025E等一系列产品,适用于各种电子产品,军产品,电源等。
底部填充胶：FP4450、UF1173、4531、4451等系列。

TSV 填充
TSV 填充电镀铜有三种⽅法:
共形电镀，自下⽽上的密封凸点电镀， 和超共形电镀。电镀⽅法是以各种三维
集成应用为基础的。总的来说， TSV 的结构是深度在 10 到 200μm 之前的典型
的圆柱形孔。TSV 的深度 取决于芯片或晶圆键合时的所需厚度，⽽ TSV 纵横
比的⼤小则由介电 膜、阻挡层和种⼦层和填充过程决定的。

STYCAST 2561/CAT 11
乐泰 STYCAST 2651MM/CATALYST 23LV
乐泰 STYCAST 2651MM/CATALYST 9
乐泰 STYCAST 2850FT/CAT 11
乐泰 STYCAST 2850FT/CAT 23 LV
乐泰 STYCAST 2850KT/CATALYST 9
乐泰 STYCAST 2850MT/CATALYST 24LV
乐泰 STYCAST 50500D
乐泰 STYCAST A312
乐泰 STYCAST E1070
乐泰 STYCAST E1847
乐泰 STYCAST EFF15 SYNTACTIC FOAM POWDER
乐泰 STYCAST U2500
LOCTITE ABLESTIK 104
LOCTITE ABLESTIK 16-1
LOCTITE ABLESTIK 2000
LOCTITE ABLESTIK 2000B
LOCTITE ABLESTIK 2000T
LOCTITE ABLESTIK 2025D
LOCTITE ABLESTIK 2025DSI
LOCTITE ABLESTIK 2030SC
LOCTITE ABLESTIK 2035SC

小型喷镀机台
配备有Stir Cup适用于研发以及小批量生产。
特别适合于镀孔，Sn/Ag电镀，Cu pillar等电镀制程。
铜凸块制程即wafer从晶圆加工完成基体电路后，利用涂胶、黄光、电镀及蚀刻制程等制作技术通过在芯片表面制作铜锡凸点，提供了芯片之间、芯片和基板之间的“点连接”，由于避免了传统Wire Bonding 向四周辐射的金属“线连接”，减小了芯片面积（封装效率），此外凸块阵列在芯片表面，引脚密度可以做得很高，便于满足芯片性能提升的需求，并具有较佳抗电迁移和导热能力以及高密度、低阻抗，低寄生电容、低电感，低能耗，低信噪比、低成本等优点。